| 抛光垫表面特性分析 |
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| 引用本文： | 苏建修,傅宇,杜家熙,陈锡渠,张学良,郭东明. 抛光垫表面特性分析[J]. 半导体技术, 2007, 32(11): 957-960 |
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| 作者姓名： | 苏建修 傅宇 杜家熙 陈锡渠 张学良 郭东明 |
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| 作者单位： | 河南科技学院,河南,新乡,453003;大连理工大学,精密与特种加工教育部重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光(CMP)材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构.使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪器研究了IC1000/SubaIV平抛光垫表面粗糙度、表面组织结构、孔隙率、微孔深度及直径、抛光垫表面微凸峰分布形式及面积支承率,测量和计算的结果:抛光垫表面粗糙度为σP(RMS)=6.8μm,均方根粗糙度9.4μm,表面孔隙率为56%,平均孔径为36μm,平均孔深为20μm,平均孔距为43μm,微孔数量为550个/mm2,抛光垫表面微凸峰高度服从高斯分布.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 材料去除机理 高分子材料 抛光垫 表面特性 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）11-0957-04 |
| 修稿时间： | 2007-08-14 |
Analysis of Surface Characteristics of Polishing Pad |
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| SU Jian-xiu,FU Yu,DU Jia-xi,CHEN Xi-qu,ZHANG Xue-liang,GUO Dong-ming. Analysis of Surface Characteristics of Polishing Pad[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(11): 957-960 |
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| Authors: | SU Jian-xiu FU Yu DU Jia-xi CHEN Xi-qu ZHANG Xue-liang GUO Dong-ming |
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| Affiliation: | 1. Henan Institute of Science and Technology, Xinxiang 453003, China ; 2. Key Lab. for Precision and Non- Traditional Machining Technology of Ministry of Education, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMP material removal mechanism polymer materials polishing pad surface characteristics |
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