| 升压型同步整流功率MOSFET的分析及电路仿真 |
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| 引用本文： | 赵婉婉,冯全源. 升压型同步整流功率MOSFET的分析及电路仿真[J]. 半导体技术, 2007, 32(11): 975-979 |
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| 作者姓名： | 赵婉婉 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学,微电子研究所,成都,610031;西南交通大学,微电子研究所,成都,610031 |
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| 摘 要： | 同步整流技术已成为目前提升开关电源芯片转换效率的有效手段.以采用UMC 0.6μm BiCMOS工艺制造的升压转换器为例,基于功率MOS管工作机理,对不同的负载情况和工作模式分别加以分析和模拟验证,并提出了管子尺寸的合理选择和死区时间的合理设置.为了避免电感电流倒灌,提出了DCM模式下过零检测结构电路.利用HSPICE对相关电路进行了仿真分析,得到了同步整流技术中功率器件的优化结果.
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| 关 键 词： | 过零点检测 同步整流 升压转换器 断续传导模式 连续传导模式 |
| 文章编号： | 1003-353X（2007）11-0975-05 |
| 修稿时间： | 2007-05-23 |
Analysis and Circuit Simulation of Boost Synchronous Rectifier Power MOSFET |
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| ZHAO Wan-wan,FENG Quan-yuan. Analysis and Circuit Simulation of Boost Synchronous Rectifier Power MOSFET[J]. Semiconductor Technology, 2007, 32(11): 975-979 |
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| Authors: | ZHAO Wan-wan FENG Quan-yuan |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | zero cross detect synchronous rectifier boost converter discontinuous current mode(DCM) continuous current mode(CCM) |
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