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| 晶体本征空位的填充分数极限：填充方钴矿 | |
| 作者姓名： | X. Shi W. Zhang L.D. Chen J. Yang 商佳程（译） |
| 作者单位： | [1]中国科学院上海硅酸盐所高性能陶瓷与超细结构国家重点实验室 [2]美国通用汽车研发中心材料和过程实验室 |
| 摘 要： | 本文用密度泛函方法研究了不同杂质在cosb3晶格的本征空位处的掺杂极限或填充分数极限（FFL）。FFL不仅取决于杂质和主原子的相互作用，也取决于杂质原子和一种主原子形成的第二相。预测了Ca、Sr、Ba、La、Ce和Yb原子在CoSb3中的FFL，与报道的实验数据吻合得很好。本文还讨论了杂质原子的FFL与价态和电负性的相关性。 |
| 关 键 词： | 填充分数 极限 空位 本征 方钴矿 杂质原子 晶体 密度泛函方法 |
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