| Si3N4栅MOS器件的隧穿电流模拟 |
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| 引用本文： | 陈震,向采兰. Si3N4栅MOS器件的隧穿电流模拟[J]. 微电子学, 2002, 32(6): 428-430 |
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| 作者姓名： | 陈震 向采兰 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究项目(GG200036502) |
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| 摘 要： | 随着MOS器件尺寸按比例缩小到亚100 nm时代,栅绝缘层直接隧穿(Direct Tunnel-ing,DT)电流逐渐增大.使用Si3N4材料作为栅介质,利用其介电常数高于SiO2的特性,可以在一定时期内有效地解决隧穿电流的问题.文章在二维器件模拟软件PISCES-II中首次添加了模拟高k材料MOS晶体管的器件模型,并对SiO2和Si3N4栅MOS晶体管的器件特性进行了模拟比较.
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| 关 键 词： | 器件模拟 MOS器件 隧穿电流 氮化硅 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)06-0428-03 |
| 修稿时间： | 2001-11-05 |
Simulation of Direct Tunneling Current in MOSFET with Si3N4 Gate |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Device simulation MOSFET Direct tunneling current Si_3N_4 |
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