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| 偏压对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构与性能的影响 | |
| 引用本文： | 林松盛,刘兰兰,曾德长,代明江,胡芳.偏压对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构与性能的影响[J].真空,2012,49(6). |
| 作者姓名： | 林松盛 刘兰兰 曾德长 代明江 胡芳 |
| 作者单位： | 1. 广州有色金属研究院新材料研究所,广东广州510651;华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州510641 2. 华南理工大学材料科学与工程学院,广东广州,510641 3. 广州有色金属研究院新材料研究所,广东广州,510651 |
| 摘 要： | 采用离子束辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及YG6硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了偏压对中频反应溅射沉积AlN薄膜结构和性能的影响.研究结果表明:所制备的AlN薄膜是由AIN相和A(I)相组成的,偏压的增大,有利于薄膜结晶度的提高,AlN沿(100)晶面择优取向增强;同时,随着偏压的增加,所沉积的AlN薄膜致密度和膜/基结合力均显著提高,而膜层沉积速率和膜基复合硬度则呈降低的规律. |
| 关 键 词： | AlN薄膜 偏压 中频反应磁控溅射 离子束辅助 |
Effect of bias on the structure and properties of AlN thin films deposited by mid-frequency reactive magnetron sputtering |
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| LIN Song-sheng , LIU Lan-lan , ZENG De-chang , DAI Ming-jiang , HU Fang.Effect of bias on the structure and properties of AlN thin films deposited by mid-frequency reactive magnetron sputtering[J].Vacuum,2012,49(6). | |
| Authors: | LIN Song-sheng LIU Lan-lan ZENG De-chang DAI Ming-jiang HU Fang |
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