| 宽禁带半导体功率器件 |
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| 引用本文： | 刘海涛,陈启秀. 宽禁带半导体功率器件[J]. 半导体技术, 1999, 24(2): 1-4,8 |
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| 作者姓名： | 刘海涛 陈启秀 |
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| 作者单位： | 浙江大学信电系功率器件研究所,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题，并对其未来的发展作出展望。
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体 功率器件 碳化硅 金刚石 |
Wide Bandgap Semiconductor Power Devices |
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| Liu Haitao,Chen Qixiu. Wide Bandgap Semiconductor Power Devices[J]. Semiconductor Technology, 1999, 24(2): 1-4,8 |
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| Authors: | Liu Haitao Chen Qixiu |
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| Affiliation: | Wide Bandgap Semiconductor PowerDevices;Liu Haitao,Chen Qixiu;( |
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| Abstract: | The paper presents the main characteristics of wide bandgap semiconductors,and elaborates the latest development of SiC and diamond power devices.At the same time,the future development of SiC and diamond power devices is forcasted. |
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| Keywords: | Wide bandgap semiconductor Power devices SiC Diamond |
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