| 辉光放电电子束瞬态退火研究 |
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| 引用本文： | 李秀琼 卢殿通. 辉光放电电子束瞬态退火研究[J]. 微细加工技术, 1993, 0(2): 37-40 |
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| 作者姓名： | 李秀琼 卢殿通 |
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| 作者单位： | 中科院微电子中心研究部，北京师范大学低能所，中国科学院半导体所，中科院微电子中心研究部 北京 100010，北京 100010 |
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| 摘 要： | 辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。
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| 关 键 词： | 半导体 掺杂 离子注入 退火 辉光放电 |
STUDY ON TRANSIENT ANNEALING BY GLOW DISCHARGE ELECTRON BEAM |
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| Li Xiuqiong,Lu Diantong,Chen Weide,Yang Jun. STUDY ON TRANSIENT ANNEALING BY GLOW DISCHARGE ELECTRON BEAM[J]. Microfabrication Technology, 1993, 0(2): 37-40 |
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| Authors: | Li Xiuqiong Lu Diantong Chen Weide Yang Jun |
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| Abstract: | Glow discharge electron beam have been successfully used in annealing treatment of semiconductors, in which the shallow junction is formed by ion-implantation doping. The research work on the annealing of B-ion or As-ion implanted silicon wafers by self-made glow discharge electron beam machine is presented. The results are compared with ones of heat annealing and lamp annealing. |
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| Keywords: | semiconductor doping pn shallow junction preparation ion implantation annealing of implantation damage glow discharge electron beam process |
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