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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaP/Si异质结的制备及特性
作者姓名:
王兢
邓希敏
苗忠礼
刘国范
杨树人
作者单位:
吉林大学电子科学系
摘 要:
用低压预处理液相外延方法在Si衬底上生长了GaP外延层.解决了由于硅衬底极易氧化而造成的局部生长问题.从外延层中Si的含量、固相组分的化学计量比、表面形貌等方面来比较,以Sn为生长熔体好于Ga或In.外延片表面的小平台和台阶状结构是由于晶格失配的应力场分布不均匀造成的.位错腐蚀结果证明了这种分析.LPE生长的GaP/Si片光致发光峰值波长为540nm.
关 键 词:
外延生长 磷化镓 硅 异质结 光致发光
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