| GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化 |
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| 引用本文： | 魏启元,李倜,王彦杰,陈伟华,李睿,潘尧波,徐科,章蓓,杨志坚,胡晓东. GaN基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 471-474 |
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| 作者姓名： | 魏启元 李倜 王彦杰 陈伟华 李睿 潘尧波 徐科 章蓓 杨志坚 胡晓东 |
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| 作者单位： | 魏启元（北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871）;李倜（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;王彦杰（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;陈伟华（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;李睿（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;潘尧波（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;徐科（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;章蓓（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;杨志坚（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871）;胡晓东（北京大学物理学院,人工微结构和介观国家重点实验室,北京,100871） |
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| 摘 要： | 研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对优化的量子阱结构激光器的漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.
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| 关 键 词： | 氮化镓 激光二极管 量子阱 多元合金 增益 激光器性能 多量子阱结构 性能表征 结构优化 Laser Diode Structure Structural Optimization 影响 饱和带 增益分布 漏电流 作用 生长 模拟分析 测量 外微分量子效率 阈值电流 比较 有源层 四元合金 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0471-04 |
| 修稿时间： | 2006-12-11 |
Characteristics and Structural Optimization of Multi-Quantum-Well Structure of GaN-Based Laser Diode |
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| Wei Qiyuan,Li Ti,Wang Yanjie,Chen Weihua,Li Rui,Pan Yaobo,Xu Ke,Zhang Bei,Yang Zhijian,Hu Xiaodon. Characteristics and Structural Optimization of Multi-Quantum-Well Structure of GaN-Based Laser Diode[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 471-474 |
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| Authors: | Wei Qiyuan Li Ti Wang Yanjie Chen Weihua Li Rui Pan Yaobo Xu Ke Zhang Bei Yang Zhijian Hu Xiaodon |
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