用液相外延制备1.11～1.67微米(100)GaInAsP/InP注入激光器

用液相外延工艺,在1.11～1.67微米的波长范围,制造了(100)GaInAsP/InP DH 激光器。用两相溶液法,在相同的温度条件下(热处理温度 T_s=670℃,生长温度 T_g-631℃)和相同的冷却速率(0.81°C/分钟)下,在1.2～1.65微米的波长范围,获得了低归一化阈值的 DH 激光器。还给出了激射波长与生长温度的依赖关系。三层结构的普通激光器,在1.2～1.52微米的波长范围,其归一化阈值电流密度 J_(th)/d 为4～5千安/厘米~2/微米,而抗回熔层的四层结构的波长较长的激光器,在1.45～1.65微米波长范围,其归一化阈值电流密度为5～6千安/厘米~2/微米。在约250～270K 拐点以上的温度范围,这些激光二极管的激射阈值随温度而更快地增加。在1.3微米波长下,激射波长与温度的依赖关系约为4埃/度,而在1.55微米波长,约为5埃/度。在1.3微米,谱线宽约为1000埃,在1.55微米,谱线宽约1400埃。在λ=1.51微米,获得了较长波长激光器室温连续工作,其阈值为200～350毫安。