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杂志ISSN号
再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”
作者姓名:
翁寿松
作者单位:
无锡市元件四厂
摘 要:
本文讨论了军用半导体器件的贮存失效率模型、贮存失效率曲线、贮存数据和“延寿试验”.再次阐明超过贮存期的器件只要进行必要的“延寿试验”,试验合格的产品仍可交付使用。
关 键 词:
半导体器件 军事 寿命 试验
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