飞兆半导体推出锂离子电池组保护设计解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）开发出PowerTrench MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸,并提供了所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其他超便携应用而设计,具有N沟道共漏极MOSFET特性,能够实现电流的双向流动。