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| 半导体激光器的线宽理论与实验 | |
| 引用本文： | 章建洛 ,高中林 ,汪开源 ,简耀光.半导体激光器的线宽理论与实验[J].电子器件,1987(1). |
| 作者姓名： | 章建洛 高中林 汪开源 简耀光 |
| 摘 要： | 本文采用气压一波长扫描F—P干涉法测量了国产半导体激光器的输出线宽.测量结果表明:质子轰击条形AlGaAs/GaAs(DH)注入激光器线宽典型值为3.2GHzmW~(-1).该结果与C.H.Henry的半导体激光器的线宽理论相差27倍.为解释这误差,本文从半导体激光器的噪声理论和激光器谐振腔理论出发,具体分析了条形半导体激光器谐振腔波导结构,讨论了半导体激光器线宽的结构增宽,修正了C.H.Henry的线宽理论公式.经过修正的线宽理论公式具有更普遍意义,并与实验结果取得了基本一致. |
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