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| sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究 | |
| 作者姓名： | 张洪涛 徐重阳 |
| 作者单位： | 1. 华中理工大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;湖北工学院电气工程与计算机科学系,湖北,武汉,430074 2. 华中理工大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074 |
| 摘 要： | 采用长链甲基三甲氧基硅烷〔Cn H2 n+ 1 Si(OCH3)〕和正硅酸乙酯 (TEOS)两种有机物为起始原料 ,用溶胶 -凝胶法通过合理控制反应条件 ,制备出β- Si C凝胶粉体 ,然后在 Ar气氛、 90 0～ 130 0℃下热处理 ,制备出了高纯、低氧含量 ,直径 2～ 10 nm,长度 40～ 80 nm的β- Si C纳米晶须。产物纯度达到 99.92 %。利用 X射线粉晶衍射、透射电镜 (TEM)、拉曼光谱等测试方法对制得的晶须进行了结构及颗粒尺寸等研究。讨论了反应条件对β- Si C纳米晶须生长的影响 |
| 关 键 词： | 纳米晶须 碳化硅 溶胶-凝胶法 |
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