| CMOS VLSI ESD保护电路设计技术 |
| |
| 引用本文： | 薛忠杰.CMOS VLSI ESD保护电路设计技术[J].微电子技术,1999(2). |
| |
| 作者姓名： | 薛忠杰 |
| |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡，214061 |
| |
| 摘 要： | 本文对CMOSVLSI芯片ESD失效现象及其ESD事件发生机理进行了分析，介绍了CMOSVLSIESD保护电路设计技术。使用具有大电流放电性能的MOS器件构成的ESD电路，以及采用周密的版图布局布线技术，可实现良好的ESD保护性能。
|
| 关 键 词： | ESD保护 薄栅NMOS器件 设计 |
ESD Protection Circuit Design Technology for CMOS VLSI |
| |
| Xue Zhongjie.ESD Protection Circuit Design Technology for CMOS VLSI[J].Microelectronic Technology,1999(2). |
| |
| Authors: | Xue Zhongjie |
| |
| Abstract: | ESD failure phenomena on CMOS VLSI chips'are described, and mechanismsfor ESD events are analyzed. ESD protetion circuit design technologies for CMOS Veal arediscussed, in which the ESD protection circuitS consist of MOS devices with high currentdischarge capability. Combined with careful routing and placement in the layout design,good ESD protection capability can be realized. |
| |
| Keywords: | ESD protection Thin --oxide NMOS device Design |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
