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抗高能单粒子辐射加固的LC6508电路的研制
引用本文:黄胜明 宋钦岐. 抗高能单粒子辐射加固的LC6508电路的研制[J]. 微电子学与计算机, 1996, 13(4): 1-3
作者姓名:黄胜明 宋钦岐
作者单位:西安微电子技术研究所
摘    要:本文介绍抗单粒子辐射加固的1KCMOSSRAMLC6508电路,对该电路进行了单粒子辐射试验,并就试验结果进行了讨论。

关 键 词:单粒子,辐射加固,存储器

SEU Hardened CMOS 1K SRAM
Huang Shengming,Song Qinqi,Wang Minggang,Zhao Yuanfu,Hu Yuhong. SEU Hardened CMOS 1K SRAM[J]. Microelectronics & Computer, 1996, 13(4): 1-3
Authors:Huang Shengming  Song Qinqi  Wang Minggang  Zhao Yuanfu  Hu Yuhong
Affiliation:Xi' an Microelectronic Technology Inst. Lintong Shaanxi 710600
Abstract:SEU hardened CMOS IK SRAM was manufactured.SEU experiment of this circuit was performed on 252Cf and the experimental result is discussed.
Keywords:Single particle  Radiation hardening  Memory
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