| 膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 罗远晟,陈松林,马平,蒲云体,朱基亮,朱建国,肖定全.膜厚对ITO薄膜的电学与光学性质的影响[J].压电与声光,2010,32(6). |
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| 作者姓名： | 罗远晟 陈松林 马平 蒲云体 朱基亮 朱建国 肖定全 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备不同薄膜厚度氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.利用X线衍射(XRD)、透射光谱、四探针法和扫描电子显微镜(SEM)分析薄膜厚度(沉积时间)对ITO薄膜的结晶取向情况、透过率、电导率和表面形貌的影响.试验结果表明,在适当的沉积时间(5 min)下制备的ITO薄膜具有良好的光学性能和电学性能,其方阻为17 Ω/□,在可见光区域内的平均透过率为84%.
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| 关 键 词： | 薄膜 氧化铟锡(ITO) 磁控溅射 薄膜厚度 |
Influence of Thickness on Electrical and Optical Property of ITO Thin Films |
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| LUO Yuansheng,CHEN Songlin,MA Ping,PU Yunti,ZHU Jiliang,ZHU Jianguo,XIAO Dingquan.Influence of Thickness on Electrical and Optical Property of ITO Thin Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2010,32(6). |
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| Authors: | LUO Yuansheng CHEN Songlin MA Ping PU Yunti ZHU Jiliang ZHU Jianguo XIAO Dingquan |
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