场发射平板显示器件 |
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引用本文: | 柯春和,彭自安.场发射平板显示器件[J].电子器件,1994,17(3):104-104. |
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作者姓名: | 柯春和 彭自安 |
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摘 要: | 本文概述真空微电子技术的发展及特点。综述了场发射平板显示器件(FED又称平板CRT)的优点及其广泛用途。概述了场发射显示器好的结构和工作原理。综述spindt型、硅尖锥型及薄膜边缘型三种场发射阴极的制作工艺、性能水平以及制作显示器件所后材料的特点及制作工艺。对目前国际上FED的典型参数加以比较并概述对FED未来市场的预测情况,此外,我们利用spindt型阴极研制了平板显示器的原理性样管,在栅、阳极为400v,600v时在荧光屏上显示出足够亮的光点,还设计了像素数为128×128的平板显示器并用矩阵选址方式控制显示图形。现正在作材料和工艺论证并着手进行试制。
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关 键 词: | 场发射 平板显示器件 |
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