| RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究 |
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| 引用本文： | 李林,钟景昌,张宝顺,王勇,卢鹏,王晓华,刘国军.RHEED振荡精确测量AlGaAs生长速率研究[J].光电子技术与信息,2005,18(2):50-52. |
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| 作者姓名： | 李林 钟景昌 张宝顺 王勇 卢鹏 王晓华 刘国军 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60306004)资助 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延技术，在GaAs衬底上生长GaAs，AlAs和AlGaAs时，实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。通过RHEED可讨论GaAs表面结构和生长机制，并可以估算衬底温度，更重要的是能计算出材料的生长速率。RHEED强度振荡周期决定生长速率，每一个周期对应一个单层。实验测量GaAs的生长周期为0．82s，每秒沉积1．22单分子层，AlAs的生长周期为2．35s，每秒沉积0．43单分子层。
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| 关 键 词： | 反射式高能电子衍射仪 分子束外延 半导体材料 |
| 文章编号： | 1006-1231(2005)02-0050-03 |
| 修稿时间： | 2004年6月17日 |
Study on Accuracy of AlGaAs Growth Rates Using RHEED Oscillations |
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| LI Lin,ZHONG Jing-chang,ZHANG Bao-shun,WANG Yong,LU Peng,Wang Xiao-hua,LIU Guo-jun.Study on Accuracy of AlGaAs Growth Rates Using RHEED Oscillations[J].Optoelectronic Technology & Information,2005,18(2):50-52. |
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| Authors: | LI Lin ZHONG Jing-chang ZHANG Bao-shun WANG Yong LU Peng Wang Xiao-hua LIU Guo-jun |
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