| 偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长 |
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| 引用本文： | 王雷,孙国胜,高欣,赵万顺,张永兴,曾一平,李晋闽. 偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长[J]. 半导体学报, 2005, 26(13): 113-116 |
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| 作者姓名： | 王雷 孙国胜 高欣 赵万顺 张永兴 曾一平 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 化学气相沉积（CVD）是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术. 为了获得高质量的4H-SiC外延材料，在偏向〈1120〉方向8. 的4H-SiC (0001) Si-面衬底上，利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长. 表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数，为此研究了表面形貌与工艺参数的关系，探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因. 利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.
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| 关 键 词： | SiC；化学气相沉积；外延生长 |
LPCVD Homoepitaxial Growth on Off-Axis Si-Face 4H-SiC(0001) Substrates |
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| Wang Lei,Sun Guosheng,Gao Xin,Zhao Wanshun,Zhang Yongxing,Zeng Yiping and Li Jinmin. LPCVD Homoepitaxial Growth on Off-Axis Si-Face 4H-SiC(0001) Substrates[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(13): 113-116 |
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| Authors: | Wang Lei Sun Guosheng Gao Xin Zhao Wanshun Zhang Yongxing Zeng Yiping Li Jinmin |
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| Affiliation: | Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Novel Semiconductor Material Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC CVD epitaxy |
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