| 基于ISFET 的克咳敏传感器的研究 |
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| 引用本文： | 罗文谦,李先文.基于ISFET 的克咳敏传感器的研究[J].传感技术学报,2002,15(3):256-257. |
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| 作者姓名： | 罗文谦 李先文 |
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| 作者单位： | 1. 安康师范专科学校化学系,陕西,安康,725000
2. 渭南师范学院化学传感器研究室,陕西,渭南,714000 |
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| 基金项目： | 陕西省教育厅科技基金资助，项目编号 0 0JK12 8 |
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| 摘 要： | 本文报道了一种测定克咳敏的新方法 ,用硅钨酸作为电活性物质 ,将离子敏感场效应晶体管与药物敏感膜相结合 ,制成药物敏感场效应晶体管传感器 ,测定克咳敏的线性范围为 5 .0× 10 -2 ～ 5 .0× 10 -5mol/L ;适宜的 pH范围为 4 .0～ 7.5 ;响应灵敏度为 5 9.5mV/Pc.用该传感器测定克咳敏片剂的含量 ,结果和药典方法相一致 .
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| 关 键 词： | 硅钨酸 克咳敏 离子敏感场效应晶体管 药物分析 |
| 文章编号： | 1004-1699(2002)03-0256-02 |
| 修稿时间： | 2002年2月4日 |
Determination of Dioxopromethazine by ISFET |
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| LUO Wenqian,LI Xianwen.Determination of Dioxopromethazine by ISFET[J].Journal of Transduction Technology,2002,15(3):256-257. |
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| Authors: | LUO Wenqian LI Xianwen |
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| Affiliation: | LUO Wenqian 1,LI Xianwen 2 1. Dep. of Chemistry,Ankang Teachers College,Ankang Shanxi 725000 P.R.China 2. Lab. of Chemical Sensors,Weinan Teachers College,Weinan Shanxi 714000 CHina |
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| Abstract: | This paper is about the development of a kind of DrugFET of diox opromethazine by the combinat ion
of ISFET and drug sensitive membranes. It is a solid??state, small size and can be minatured, integrated. T he
diox opromethazineFET, w hich is based on silicotungstic acid as elect ric act ive material, exhibit s Nernst response
for dioxopromethazine w ith a slope of 59. 5 mV/ decade over the concent rat ion ranges of 5. 0 ?? 10- 2~
5. 0 ?? 10- 5mol/ L at pH4. 0~ 7. 5. The detectoin limit is 2. 0 ?? 10- 5mol/ L. Its has been used for the determina??
t ion of dioxopromethazine in medicinal tablet. The results obtained agree w ith the pharmacopoeia method |
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| Keywords: | silicotungstic acid ioxopromethazine hydrochloride ion field effect transistor drug analysis |
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