| Si3N4-SiO2复合材料的制备及介电性能研究 |
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| 引用本文： | 黄学辉,彭凡,阎发强,唐辉. Si3N4-SiO2复合材料的制备及介电性能研究[J]. 武汉理工大学学报, 2006, 28(12): 21-23 |
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| 作者姓名： | 黄学辉 彭凡 阎发强 唐辉 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070 |
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| 摘 要： | 以国产氮化硅、二氧化硅粉为原料，以氧化镁、氧化铝为烧结助荆，经干压成型后，在流动的高纯N2作为控制气氛的条件下，常压烧结出结构均匀，具有良好介电性能的Si3N4-SiO2复合材料。研究了原料、烧结温度、烧结助剂对材料介电性能的影响。结果表明：SiO2、MgO、Al2O3可促进坯体的烧结及致密，同时时材料的介电性能有较大的影响。当烧结温度低于1550℃时，随着烧结温度的升高，材料的介电常数趋于增大。当烧结温度高于1550℃时，随着温度的升高，材料中缺陷增加，相对密度降低，因此材料的介电常数趋于减小。
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| 关 键 词： | 氮化硅 烧结助剂 烧结温度 介电性能 |
| 文章编号： | 1671-4431(2006)12-0021-03 |
| 修稿时间： | 2006-08-29 |
Research on the Dielectric Properties of Composite Made with Si3N4-SiO2 |
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| HUANG Xue-hui,PENG Fan,YAN Fa-qiang,TANG Hui. Research on the Dielectric Properties of Composite Made with Si3N4-SiO2[J]. Journal of Wuhan University of Technology, 2006, 28(12): 21-23 |
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| Authors: | HUANG Xue-hui PENG Fan YAN Fa-qiang TANG Hui |
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| Keywords: | silicon nitride sintering aids sintering temperature dielectric properties |
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