| 2×2 InP/InGaAsP MMI-MZI型光开关设计与实验 |
| |
| 引用本文： | 杨长屹, 黄永清, 黄辉, 马琼芳, 任晓敏.2×2 InP/InGaAsP MMI-MZI型光开关设计与实验[J].电子器件,2009,32(3). |
| |
| 作者姓名： | 杨长屹 黄永清 黄辉 马琼芳 任晓敏 |
| |
| 作者单位： | 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876 |
| |
| 基金项目： | 国家"973"项目资助，高等学校学科创新引智计划资助，教育部"长江学者和创新团队发展计划资助，北京市教育委员会共建项目资助，国家"863"计划项目资助 |
| |
| 摘 要： | 主要研究基于多模干涉耦合器(MMI)的2×2 InP/InGaAsP马赫曾德型(MMI-MZI)光开关.开关的特性采用BPM(光束传输法)进行器件建模、参数分析与性能优化.开关的结构按照传输波导保证单模传输、低偏振敏感要求进行了设计.光开关通过载流子电注入产生的载流子吸收和带填充效应改变移相臂传输光相位.实验测得光开关在控制电压为6.4 V时可实现交叉态到直通态的倒换,开关和关态串扰分别为-20.49 dB、-19.19 dB.这种开关具有结构紧凑、制作容差大和偏振无敏感等优点,它可以很方便地和其它半导体有源器件集成,在未来DWDM系统中有着非常广泛的应用前景.
|
| 关 键 词： | 马赫曾德开关 多模干涉耦合器 光开关 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子器件》下载全文 |
|
