| 基于第一性原理方法研究基团在CVD金刚石薄膜(001)表面上的生长 |
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| 引用本文： | 刘学杰,魏怀,任元,陆峰,张素慧,银永杰.基于第一性原理方法研究基团在CVD金刚石薄膜(001)表面上的生长[J].材料工程,2014(4):46-52. |
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| 作者姓名： | 刘学杰 魏怀 任元 陆峰 张素慧 银永杰 |
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| 作者单位： | 内蒙古科技大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50845065);内蒙古自然科学基金资助项目(2010Zd21);内蒙古科技大学创新基金资助项目(2012NCL050) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究CVD金刚石薄膜(001)表面的生长机理。计算清洁金刚石表面和氢(H)终止金刚石表面的构型。考察H原子和活性基团(C,CH,CH2和CH3)在清洁重构金刚石表面及在单层H终止金刚石表面上的吸附演变。结果表明:清洁金刚石表面发生了对称二聚体重构,H原子终止金刚石表面稳定了金刚石结构;基团在金刚石(001)表面吸附演变过程中,H原子起到激活石墨和萃取表面H原子产生活性位的作用;CH2基团比CH3基团能够更好地提高CVD金刚石薄膜的生长率,是薄膜生长过程中最有效基团;CH基团阻碍了薄膜的生长。
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| 关 键 词： | 第一性原理 CVD金刚石薄膜 基团 生长机理 吸附演变 |
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