Croissance et caractérisation de ZnSxSe1−x sur CaF2 par la technique du transport en phase vapeur en tube ouvert

Nous avons obtenu par épitaxie à partir d'une phase vapeur des couches minces monocristallines de ZnSe_xSe_1−x (0 < x < 1) sur un substrat de fluorine (CaF₂) d'épaisseur comprise entre 5 et 30 microm. La méthode utilisée est le transport en tube ouvert, à partir de deux sources (ZnSe et ZnS en poudre), sous flux d'hydrogène. Les vitesses de croissance sont fonction de la température de substrat. L'étude en luminescence montre que ces couches d'orientation (111) sont de bonne qualité.