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蒸发法制备CIGS薄膜太阳电池的研究进展
作者姓名:冯金晖  杜光远  王 赫  李 微  赵彦民  乔在祥
作者单位:中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源重点实验室;北京机电工程研究所;
摘    要:多元共蒸发技术制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜具有结晶质量高,梯度带隙,成分易于精确控制等优点,被认为是制备高效率CIGS薄膜太阳电池的最佳工艺。目前,该工艺制备的CIGS电池的实验室转换效率已经超过20%,通过改进和优化共蒸发工艺流程,继续提高电池性能、发展柔性衬底薄膜电池、尽快将实验室技术转移为CIGS电池组件的商业化生产成为新的研究热点。主要介绍了共蒸发工艺的特点,以及近年来在制备CIGS薄膜太阳电池及组件方面的研究进展。

关 键 词:Cu(In  Ga)Se薄膜  共蒸发工艺  太阳电池及组件  商业化生产
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