| 锗(Ge)光学薄膜在不同沉积温度下的聚集密度研究 |
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| 引用本文： | 罗海瀚,刘定权,尹欣,张莉.锗(Ge)光学薄膜在不同沉积温度下的聚集密度研究[J].光电工程,2011,38(12):90-93. |
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| 作者姓名： | 罗海瀚 刘定权 尹欣 张莉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,上海200083;中国科学院研究生院,北京100049
2. 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 锗(Ge)薄膜是中长波红外区最常用的光学薄膜之一,高的聚集密度对于提升光谱稳定性和光学薄膜元件的品质非常重要.选用纯度为99.99％的Ge材料,在5× 10-4 Pa左右的真空压力下用电子束蒸发沉积,石英晶振仪将沉积速率控制在0.8～1.0 nm/s范围,宝石片基片上的膜层厚度约为0.8～1.0μm,在不同沉积温度下制...
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| 关 键 词： | 光学薄膜 聚集密度 锗 沉积温度 |
Packing Density of Germanium Thin Films at Different Deposited Temperature |
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| LUO Hai-han,LIU Ding-quan,YIN Xin,ZHANG Li.Packing Density of Germanium Thin Films at Different Deposited Temperature[J].Opto-Electronic Engineering,2011,38(12):90-93. |
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| Authors: | LUO Hai-han LIU Ding-quan YIN Xin ZHANG Li |
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