GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究 |
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引用本文: | 李国华,江德生,韩和相,汪兆平,K.Ploog. GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究[J]. 半导体学报, 1990, 11(2): 88-96 |
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作者姓名: | 李国华 江德生 韩和相 汪兆平 K.Ploog |
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作者单位: | “半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所,“半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所,“半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所,“半导体超晶格”国家重点实验室中国科学院半导体研究所,西德斯图加特马普固体研究所 北京,北京,北京,北京 |
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摘 要: | 在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。
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关 键 词: | GaAs/AlAs 超晶格 光致发光 静压 |
Photoluminescence Studies of GaAs/AlAs Short Period Superlattices under Hydrostatic Pressure |
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Abstract: | |
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Keywords: | Superlattice Pressure Photoluminescence |
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