| GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池 |
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| 引用本文： | 王亮兴 涂洁磊 张忠卫,池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波.GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池[J].半导体学报,2005,26(Z1):196-199. |
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| 作者姓名： | 王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波 |
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| 作者单位： | 王亮兴（上海空间电源研究所,上海,200233）;涂洁磊（上海空间电源研究所,上海,200233）;张忠卫（上海空间电源研究所,上海,200233）;池卫英（上海空间电源研究所,上海,200233）;彭冬生（上海空间电源研究所,上海,200233）;陈超奇（上海空间电源研究所,上海,200233）;陈鸣波（上海空间电源研究所,上海,200233） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:ZM200002B01) |
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| 摘 要： | 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电流Isc;调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高.采用上述改进措施,成功得到Voc达到287.5mV,Isc达到73.13mA/cm2,效率达到7.35%的Ge太阳电池.
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| 关 键 词： | Ge太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)S0-0196-04 |
| 修稿时间： | 2004年9月18日 |
High Efficiency Ge Bottom
Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell |
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| Wang Liangxing.High Efficiency Ge Bottom
Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(Z1):196-199. |
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| Authors: | Wang Liangxing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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