| VO2-xNy薄膜的主要制备工艺参数与相变温度系数 |
| |
| 引用本文： | 陈金民,黄志良,刘羽,王升高. VO2-xNy薄膜的主要制备工艺参数与相变温度系数[J]. 半导体光电, 2007, 28(4): 512-515 |
| |
| 作者姓名： | 陈金民 黄志良 刘羽 王升高 |
| |
| 作者单位： | 武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073;武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073;武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073;武汉工程大学,湖北省等离子体重点实验室,湖北,武汉,430073 |
| |
| 基金项目： | 湖北省自然科学基金 , 湖北省科技厅科技攻关项目 |
| |
| 摘 要： | 选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了具有优良热致相变特性的氮杂二氧化钒(VO2-xNy)薄膜.通过正交试验设计对制备VO2薄膜过程中的主要影响因素(反应时间、反应压力、反应功率和N2/H2流量比)进行了分析研究.试验结果表明,VO2薄膜的最终的相变温度明显受到反应时间、反应压力、反应功率和N2/H2流量比的影响.其中以反应时间影响作用最为显著.经分析得到使VO2薄膜具有最低相变温度的优化工艺为:反应时间为7 min,反应压力为1.5 kPa,反应功率为100 W,N2/H2流量比为5/20(mL/min).文中对试验结果进行了简单讨论.
|
| 关 键 词： | VO2薄膜 热致相变特性 电阻温度系数 VO2-xNy薄膜 微波等离子 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）04-0512-04 |
| 修稿时间： | 2007-01-08 |
The Main Preparation Parameters and TCR of VO2-xNy Thin Film |
| |
| CHEN Jin-min,HUANG Zhi-liang,LIU Yu,WANG Sheng-gao. The Main Preparation Parameters and TCR of VO2-xNy Thin Film[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2007, 28(4): 512-515 |
| |
| Authors: | CHEN Jin-min HUANG Zhi-liang LIU Yu WANG Sheng-gao |
| |
| Affiliation: | Hubei Province Key Lab. of Plasma Chemistry and Advance Materials, Wuhan Institute of Technology, Wuhan 430073,CHN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | VO2 thin film thermal induced phase transition property TCR VO2-xNy thin film microwave plasma |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
