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| CrSi薄膜电阻温度系数研究 | |
| 作者姓名： | 余飞 张明浩 李丙旺 |
| 作者单位： | 中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042 |
| 摘 要： | 对可能影响CrSi（铬硅）薄膜电阻温度系数（TCR）的工艺参数进行研究分析，通过有针对性的多组试验，优化了工艺奈件，使电阻温度系数从±50ppm／℃降到了±20ppm／℃。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 CrSi薄膜电阻 热处理 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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