分子束外延生长轻掺杂SiGaAs的光致发光

用具有调制源的分子束外延(MBE)轻掺杂Si生长出GaAs层,并利用低温光致发光测定了它的特性。在光致发光光谱的近带边区观察到了自由激子和束缚激子发射。与杂质有关的发射在光谱特性上发生改变,这可归因于MBE生长中Si分子束的调制发生了变化。在MBE生长过程中,根据提供As源期间内供Si的时间,掺入的硅原子既可成为施主,也可成为受主。通过改变供Si时间,在定域格位上完成了Si掺杂。