| Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点 |
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| 引用本文： | 张果虎,常青,方锋,吴志强,周旗钢. Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点[J]. 稀有金属, 1998, 22(1) |
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| 作者姓名： | 张果虎 常青 方锋 吴志强 周旗钢 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,北京100088 |
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| 摘 要： | 在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。
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| 关 键 词： | Φ200mm硅单晶 无位错 热场 工艺参数 系统操作参数表 |
Growth Characteristics of Φ200 mm Silicon Single Crystal |
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| Zhang Guohu,Chang Qing,Fang Feng,Wu Zhiqiang,Zhou Qigang. Growth Characteristics of Φ200 mm Silicon Single Crystal[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 1998, 22(1) |
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| Authors: | Zhang Guohu Chang Qing Fang Feng Wu Zhiqiang Zhou Qigang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Large diameter Single crystal silicon Dislocation free Hot zone Process parameter SOP |
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