| 掩埋隧道结VCSEL芯片小信号等效电路模型 |
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| 引用本文： | 徐桂芝,Hofmann W,黄亨沛,张韬,谢亮,祝宁华,Amann M C.掩埋隧道结VCSEL芯片小信号等效电路模型[J].半导体学报,2006,27(11):2015-2018. |
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| 作者姓名： | 徐桂芝 Hofmann W 黄亨沛 张韬 谢亮 祝宁华 Amann M C |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;The Walter Schottky Institute,Technical University of Munich,Germany;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;The Walter Schottky Institute,Technical University of Munich,Germany |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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德国基金委科研基金 |
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| 摘 要： | 提出了适用于一种1.55μm掩埋隧道结垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片的小信号等效电路模型.等效电路的提出是基于半导体激光器速率方程以及VCSEL芯片结构,电路中各元件都有严格的物理意义.根据实验测得芯片的反射系数及传输参数,通过小信号等效电路仿真模拟,得到电路各元件参数值.不同偏置电流下,模拟结果与实验结果吻合都非常好,证明了该等效电路的有效性.
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| 关 键 词： | VCSEL 等效电路模型 S参数 模拟 掩埋 隧道结 VCSEL 芯片结构 小信号等效电路模型 Chips Tunnel Junction Equivalent Circuit Model Signal 有效性 模拟结果 实验测 偏置电流 数值 仿真模拟 传输参数 反射系数 物理意义 元件 速率方程 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)11-2015-04 |
| 收稿时间： | 06 8 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 06 30 2006 12:00AM |
Small Signal Equivalent Circuit Model of BuriedTunnel Junction VCSEL Chips |
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| Xu Guizhi,Hofmann W,Huang Hengpei,Zhang Tao,Xie Liang,Zhu Ninghua and Amann M C.Small Signal Equivalent Circuit Model of BuriedTunnel Junction VCSEL Chips[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11):2015-2018. |
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| Authors: | Xu Guizhi Hofmann W Huang Hengpei Zhang Tao Xie Liang Zhu Ninghua and Amann M C |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;The Walter Schottky Institute,Technical University of Munich,Germany;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;The Walter Schottky Institute,Technical University of Munich,Germany |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VCSEL equivalent circuit model S parameter simulation |
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