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| 12MeV电子辐照在硅器件中的应用 | |
| 作者姓名： | 吴凤美 赖启基 蒋永兴 陆用义 朱以璋 王元林 冯文荃 |
| 作者单位： | 南京大学物理系(吴凤美，赖启基，蒋永兴，陆用义，朱以璋，王元林)，南京大学物理系(冯文荃) |
| 摘 要： | 在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多有关高能加速电子辐照硅功率器件以控制少子寿命的文章.我国自1980年以来,也有一些高校、研究所和工厂对能量如1.3MeV和3～5MeV的电子辐照进行了研究,并初步用于某些硅功率器件生产线上.全面衡量各参数,12MeV电子辐照比低能电子或Co-γ辐照更有利于器件全面参数的最佳化.特别对于快速 |
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