| GaAs基共振隧穿二极管的研究 |
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| 引用本文： | 张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环. GaAs基共振隧穿二极管的研究[J]. 电子工艺技术, 2007, 28(1): 31-33,37 |
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| 作者姓名： | 张磊 杨瑞霞 武一宾 商耀辉 高金环 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 基金项目： | 河北省重点自然科学基金 |
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| 摘 要： | 对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行AlAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长.接着用常温光致荧光(PL)方法对结构材料进行了测试分析,其结果显示,较好的外延结构材料的PL谱线半峰宽达到62.6 nm.最后通过制成RTD器件对材料进行验证,器件测试结果表现出良好的直流特性.
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| 关 键 词： | RTD 光致荧光 MBE |
| 文章编号： | 1001-3474（2007）01-0031-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-30 |
Study of RTD Grown on GaAs Substrate |
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| ZHANG Lei,YANG Rui-xia,WU Yi-bin,SHANG Yao-hui,GAO Jin-huan. Study of RTD Grown on GaAs Substrate[J]. Electronics Process Technology, 2007, 28(1): 31-33,37 |
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| Authors: | ZHANG Lei YANG Rui-xia WU Yi-bin SHANG Yao-hui GAO Jin-huan |
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| Affiliation: | 1. Hebei University of Technology,Tianjing 300130 ,China; 2. CETC No. 13 Research Institute,Shijiazhuang 050051 ,China |
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| Abstract: | High quality AlAs/GaAs/InGaAs resonant tunnelling diode(RTD) structures grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy(MBE) system are characterized by photoluminescence(PL).The experimental results show that the FWHMs of PL spectrum is 62.6 nm.The RTD device is fabricated and I-U characteristics and parameters have been measured,the result is good. |
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| Keywords: | RTD MBE |
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