| SOI材料的缺陷及其表征 |
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| 引用本文： | 夏庆锋,杨德仁,马向阳,阙端麟. SOI材料的缺陷及其表征[J]. 材料导报, 2007, 21(3): 123-125 |
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| 作者姓名： | 夏庆锋 杨德仁 马向阳 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 简述了利用注氧隔离法(SIMOX)制备的SOI材料中产生的一些不同于体硅材料的特殊缺陷,涉及表面缺陷、Si/SiO2界面缺陷和埋氧层缺陷,包括这些缺陷的产生机制、表征方法以及一些降低和消除措施.
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| 关 键 词： | 缺陷 SOI材料 表征 SIMOX |
Defects in SOI Materials and Related Characterization |
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| XIA Qingfeng,YANG Deren,MA Xiangyang,QUE Duanlin. Defects in SOI Materials and Related Characterization[J]. Materials Review, 2007, 21(3): 123-125 |
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| Authors: | XIA Qingfeng YANG Deren MA Xiangyang QUE Duanlin |
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| Affiliation: | State Key Lab of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027 |
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| Abstract: | The peculiar defects in silicon on insulator(SOI)material separated by implant oxygen(SIMOX)are described,such as surface defects,Si/SiO2 interface defects and some defects in buried oxide.The formation mechanism and characterization of these defects are addressed.Moreover,the countermeasures to reduce and eliminate the defects in SOI are also introduced. |
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| Keywords: | SIMOX |
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