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基于DRAM和PCM的混合主存模拟器
引用本文:张德志,万寿红,岳丽华.基于DRAM和PCM的混合主存模拟器[J].计算机系统应用,2017,26(9):16-23.
作者姓名:张德志  万寿红  岳丽华
作者单位:中国科学技术大学 计算机科学与技术学院, 合肥 230026,中国科学技术大学 计算机科学与技术学院, 合肥 230026,中国科学技术大学 计算机科学与技术学院, 合肥 230026
基金项目:国家自然科学基金(61472376)
摘    要:相变存储器(PCM)由于其非易失性、高读取速度以及低静态功耗等优点,已成为主存研究领域的热点.然而,目前缺乏可用的PCM设备,这使得基于PCM的算法研究得不到有效验证.因此,本文提出了利用主存模拟器仿真并验证PCM算法的思路.本文首先介绍了现有主存模拟器的特点,并指出其并不能完全满足当前主存研究的实际需求,在此基础上提出并构建了一个基于DRAM和PCM的混合主存模拟器.与现有模拟器的实验比较结果表明,本文设计的混合主存模拟器能够有效地模拟DRAM和PCM混合存储架构,并能够支持不同形式的混合主存系统模拟,具有高可配置性.最后,论文通过一个使用示例说明了混合主存模拟器编程接口的易用性.

关 键 词:相变存储器  混合主存系统  模拟器
收稿时间:2016/12/30 0:00:00

DRAM/PCM-Based Hybrid Memory Simulator
ZHANG De-Zhi,WAN Shou-Hong and YUE Li-Hua.DRAM/PCM-Based Hybrid Memory Simulator[J].Computer Systems& Applications,2017,26(9):16-23.
Authors:ZHANG De-Zhi  WAN Shou-Hong and YUE Li-Hua
Affiliation:School of Computer Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China,School of Computer Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China and School of Computer Science and Technology, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
Abstract:
Keywords:phase change memory  hybrid memory system  simulator
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