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| RF MEMS器件牺牲层释放工艺研究 | |
| 作者姓名： | 刘志斌 马玉 周拥华 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北 石家庄 050081;河北诺通人力资源开发有限公司,河北 石家庄050035;中国电子科技集团公司第五十四研究所,河北 石家庄,050081 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | RFMEMS器件 牺牲层 快速冷冻升华 超临界 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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