| 基于纳米压印技术制作的线偏振蓝光LED |
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| 引用本文： | 李万永,韩彦军,罗毅. 基于纳米压印技术制作的线偏振蓝光LED[J]. 光电子．激光, 2013, 0(6): 1042-1047 |
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| 作者姓名： | 李万永 韩彦军 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室筹,北京 100084;清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室筹,北京 100084;清华大学 电子工程系 清华信息科学与技术国家实验室筹,北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家科技支撑计划(2011BAE01B07,2012BAE01B03)、国家重点基础研究发展计划“973”(2012CB315605,1CB301900)、国家高技术研究发展计划“863”(2011AA03A112,1A A03A106,1AA03A105)、 国家自然科学基金(61176015,2,61176059,2,51002085)、北京市自然科学基金(4091001)和广东省科技计划(2011A081301003)资助项目 (1.清华大学 电子工程系清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京 100084; 2.清华大学 深圳研究生院 半导体照明实验室,广东 深圳 518055) |
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| 摘 要： | 提出一种准确计算LED偏振度(PR)的方法,并采用纳米压印技术制作了线偏振蓝光LED。方法考 虑了LED朗伯型发光,计算整个半平面入射光透过光栅的TM模在TE和TM模中所占百分比。详 细分析了光 栅材料、光栅周期、占空比和光栅高度等对PR的影响,结果表明,当Al金属光栅周期为150nm、占空 比为0.5和光栅高为120nm时,PR几乎为1；利用纳米压 印技术结合感应耦合等离子刻蚀技术,制作了 铝金属光栅。实际测试结果表明,将蓝光LED的偏振消光比(P ER)由1．0∶1．0大幅度提高为2.2∶1． 0。
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| 关 键 词： | 线偏振LED Al金属光栅 偏振度(PR) 偏振消光比(PER ) 纳米压印 |
| 收稿时间： | 2012-11-26 |
Fabrication of linearly polarized blue LED using nanoimprint lithography |
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| LI Wan-yong,HAN Yan-jun and LUO Yi. Fabrication of linearly polarized blue LED using nanoimprint lithography[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2013, 0(6): 1042-1047 |
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| Authors: | LI Wan-yong HAN Yan-jun LUO Yi |
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| Affiliation: | Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology,Departm ent of Electronics and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology,Departm ent of Electronics and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology,Departm ent of Electronics and Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | : linearly polarized LED Al metal grating polarization ratio(PR ) polarization extinction ratio(PER) nanoimprint lithography |
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