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二极管阵列声表面波存储相关卷积器的研制
引用本文:赵杰,李晨.二极管阵列声表面波存储相关卷积器的研制[J].半导体光电,2008,29(1):46-49.
作者姓名:赵杰  李晨
作者单位:深圳职业技术学院,电子工程系,广东,深圳,518055;中国电子科技集团公司,北京,100846
摘    要:介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接p n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器.器件的中心频率为30 MHz,卷积效率为-54 dBm,存储相关效率为-76 dBm,信号存储时间大于70 ms.讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的.对这种结构器件的设计及优化提出了建议.

关 键 词:存储相关卷积器  二极管阵列  少子寿命  声表面波  抽头延迟线  电子辐照
文章编号:1001-5868(2008)01-0046-03
修稿时间:2007年11月21

Preparation of Diode Array Surface Acoustic Wave Memory Correlator
ZHAO Jie,LI Chen.Preparation of Diode Array Surface Acoustic Wave Memory Correlator[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(1):46-49.
Authors:ZHAO Jie  LI Chen
Abstract:
Keywords:
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