| Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性 |
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| 引用本文： | 王长昊,王东兴,王晓林,庞超,赵洪.Al/ZnO/Ag肖特基二极管的制备与光电特性[J].哈尔滨理工大学学报,2012,17(6):57-60. |
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| 作者姓名： | 王长昊 王东兴 王晓林 庞超 赵洪 |
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| 作者单位： | 哈尔滨理工大学应用科学学院,教育部工程电介质重点实验室,黑龙江哈尔滨150080 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅科学技术研究项目 |
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| 摘 要： | 以Si(111)为衬底,采用射频磁控溅射与高温退火工艺制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜对ZnO薄膜进行表征及结构分析.结果表明,ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,样品表面光洁、平整.在此ZnO薄膜工艺条件下,在石英玻璃衬底上成功制备了Al/ZnO/Ag肖特基二极管紫外探测器.对该紫外探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流进行了测试.室温下结果表明:Ag和ZnO已形成肖特基接触,根据I-V、C-V测试得到的有效势垒高度分别为0.60 eV和0.53 eV,理想因子为12.6,理论计算得到的空间电荷密度为3.1×1016cm-3.无光照3V偏压时,暗电流为24.19 mA,当用λ=365 nm的光照射Ag/ZnO肖特基结,在3 V偏压时,光生电流为3.28 mA,表明Al/ZnO/Ag紫外探测器有明显的光响应特性.
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| 关 键 词： | 紫外探测 肖特基二极管 ZnO薄膜 I-V特性 |
The Fabrication and Characteristics of AI/ZnO/Ag Schottky Barrier Diode |
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| WANG Chang-hao
,
WANG Dong-xing
,
WANG Xiao-lin
,
PANG Chao
,
ZHAO Hong.The Fabrication and Characteristics of AI/ZnO/Ag Schottky Barrier Diode[J].Journal of Harbin University of Science and Technology,2012,17(6):57-60. |
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| Authors: | WANG Chang-hao WANG Dong-xing WANG Xiao-lin PANG Chao ZHAO Hong |
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| Affiliation: | (Department of Electronic Science and Technology,School of Applied Science,Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application,Ministry of Education Harbin University of Science and Technology,Harbin 150080,China) |
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