| In1—xGaxAsyP1—y／InP多量子阱的光调制反射光谱 |
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| 引用本文： | 方晓明 沈学础. In1—xGaxAsyP1—y／InP多量子阱的光调制反射光谱[J]. 红外与毫米波学报, 1991, 10(4): 265-270 |
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| 作者姓名： | 方晓明 沈学础 |
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| 作者单位： | 中国科学院红外物理国家实验室，中国科学院红外物理国家实验室 上海 200083，上海 200083 |
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| 摘 要： | 报道了组分y=0.76和0.84的晶格匹配In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP多量子阱的子能带结构低温光调制反射光谱研究结果,在0.9～1.5eV光子能量范围观察到限制的电子与空穴子带间的激子跃迁,还观察到限制的电子子带与空穴连续态间的跃迁,由此比较直接地确定了价带的不连续量,得到不连续因子Q_v=0.65±0.02。
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| 关 键 词： | 多量子阱 光调制 反射光谱 InGaAsP |
PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPY IN In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP MULTIPLE QUANTUM WELLS |
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| FANG XIAOMING,SHEN XUECHU. PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPY IN In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP MULTIPLE QUANTUM WELLS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1991, 10(4): 265-270 |
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| Authors: | FANG XIAOMING SHEN XUECHU |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multiple quantum wells structures intersubband transitions band offset. |
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