| 光调制反射谱用于研究MBEGaAs1—xSbx／GaAs外延膜 |
| |
| 引用本文： | 池坚刚 赵文琴. 光调制反射谱用于研究MBEGaAs1—xSbx／GaAs外延膜[J]. 红外与毫米波学报, 1991, 10(2): 107-112 |
| |
| 作者姓名： | 池坚刚 赵文琴 |
| |
| 作者单位： | 浙江省台州地区计划经济委员会，中国科学院上海技术物理研究所，中国科学院上海冶金研究所 浙江 317000，上海 200083，上海 200050 |
| |
| 摘 要： | 本文讨论了量子阱的光调制反射谱(PR)线形,并采用光调制反射谱研究了MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs异质结、应变层量子阱。可见,用PR谱研究MBE外延膜具有一定的优越性。
|
| 关 键 词： | 光调制反射谱 外延膜 分子束外延 |
USE OF PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPY IN THE STUDY OF GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs EPITAXIAL LAYER |
| |
| CHI JIANGANG ZHAO WENQIN LI AIZHEN. USE OF PHOTOREFLECTANCE SPECTROSCOPY IN THE STUDY OF GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs EPITAXIAL LAYER[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1991, 10(2): 107-112 |
| |
| Authors: | CHI JIANGANG ZHAO WENQIN LI AIZHEN |
| |
| Abstract: | Photoreflectance (PR) lineshapo of quantum wells is discussed simply. The MBE GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs hotorostructures and strained layer multiple quantum wells have been investigated by means of PR measurement. The advantages of the photoreflectance spectroscopy in the study of MBE epitaxial film are found in this paper. |
| |
| Keywords: | Photoreflectance spectroscopy epitaxial film |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外与毫米波学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外与毫米波学报》下载全文 |
