| 带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用 |
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| 引用本文： | 马玉蓉 李清山. 带隙态对辉光放电a—SiNx：H光电导的作用[J]. 红外与毫米波学报, 1991, 10(1): 22-26 |
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| 作者姓名： | 马玉蓉 李清山 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系 安徽(马玉蓉)，曲阜师范大学物理系 合肥(李清山) |
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| 摘 要： | 研究了a-SiN_x:H中带隙态和带尾态对光电导的影响。实验结果表明:退火引起光电导响应增加,光电流谱中的肩峰在200℃退火时消失,光生载流子的复合随退火温度的变化由双分子型变为单、双分子混合型,取决于光电导的带隙随退火温度的提高而略有增加。并从光电导测量定量地给出了悬键态密度。
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| 关 键 词： | 带隙态 带尾态 硅 光电导 |
EFFECT OF GAP STATES ON PHOTOCONDUCTIVITY OF GLOW DISCHARGED a-SiN_x:H FILMS |
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| MA YURONG. EFFECT OF GAP STATES ON PHOTOCONDUCTIVITY OF GLOW DISCHARGED a-SiN_x:H FILMS[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1991, 10(1): 22-26 |
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| Authors: | MA YURONG |
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| Keywords: | photoconductivity band gap states band tail states silicon (Si). |
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