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| 一种宽电压范围电流基准的设计 | |
| 作者姓名： | 雷婉 吴龙盛 李婷 时光 李倩敏 |
| 作者单位： | 西安微电子技术研究所 |
| 摘 要： | 本文针对电流基准功耗大、电源电压范围窄的问题,设计了一款同时具备低功耗、宽电压范围、低温度系数的CMOS基准电流源.基准电流由PTAT电流和CTAT电流按一定比例系数相加产生,表现出与温度无关的特性.使用基于CMOS亚阈值特性的运放和自级联电流镜,扩大了电源电压范围,降低了电路整体功耗,提升了电路性能.电路基于XFAB 0.35μm CMOS工艺进行设计,结果表明,基准电流为5μA,在-25℃～125℃温度范围内,温漂系数为40 ppm/℃,电源电压为2.5 V～6 V,功耗为25μA. |
| 关 键 词： | 电流基准 PTAT CTAT 低功耗 宽电压范围 |