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| 一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构 | |
| 作者姓名： | 李佳 陈万军 孙瑞泽 信亚杰 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子科学与工程学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(60906037,61274090)； |
| 摘 要： | 针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)沟道温度过高导致器件性能下降的问题,提出一种降低GaN HEMT沟道温度的新结构,通过优化沟道电场来降低沟道温度.该结构采用混合势垒层设计,将栅极下方的势垒层分为两层,上层采用AlN,下层采用重掺杂的AlGaN;此外,该结构还使用场板;为了更好的散热,该结构采用热导率更高的AlN代替传统的Si3N4作为器件的钝化层.场板和混合势垒层有利于改善沟道电场,降低器件沟道温度.仿真结果表明,相比于传统结构,新结构的沟道温度分布更加均匀,温度峰值下降47 K.此外,新结构的击穿电压提高50%,输出特性也得到了改善. |
| 关 键 词： | 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 沟道温度 混合势垒层 |