| ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性 |
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| 引用本文： | 常中坤,郁可,张永胜,李立君,欧阳世翕,张清杰,王青艳,朱自强. ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 84-86 |
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| 作者姓名： | 常中坤 郁可 张永胜 李立君 欧阳世翕 张清杰 王青艳 朱自强 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062,华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062,武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺,并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒.场发射测试表明制备的ZnO纳米棒具有良好的场发射性能,即具有较低的开启电场和阈值电场,较高的发射点密度.
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| 关 键 词： | ZnO纳米棒 图形化生长 场发射 纳米棒 图形化 生长 发射特性 ZnO Nanorods Emission Properties Field Growth 点密度 阈值电场 开启电场 发射性能 测试 薄膜工艺 纳米硅 硅晶片 硼掺杂 腐蚀方法 阳极 离子注入技术 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0084-03 |
| 修稿时间： | 2005-11-15 |
Patterned Growth and Field Emission Properties of ZnO Nanorods |
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| Chang Zhongkun,Yu Ke,Zhang Yongsheng,Li Lijun,Ouyang Shixi,Zhang Qingjie,Wang Qingyan,Zhu Ziqiang. Patterned Growth and Field Emission Properties of ZnO Nanorods[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 84-86 |
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| Authors: | Chang Zhongkun Yu Ke Zhang Yongsheng Li Lijun Ouyang Shixi Zhang Qingjie Wang Qingyan Zhu Ziqiang |
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