| ZnO:Ag薄膜的生长及电学性质研究 |
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| 引用本文： | 隋成华,徐天宁,郑东,蔡霞,夏娟,原子健. ZnO:Ag薄膜的生长及电学性质研究[J]. 红外与激光工程, 2010, 39(4) |
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| 作者姓名： | 隋成华 徐天宁 郑东 蔡霞 夏娟 原子健 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学理学院,浙江,杭州,310024;浙江大学物理学系,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目,浙江省教育厅资助项目 |
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| 摘 要： | p-型ZnO材料因在紫外光电器件方面的潜在应用价值而受到人们的广泛关注.采用反应电子束蒸发法在白宝石上生长了ZnO:Ag薄膜,生长温度范围从150～250℃.研究表明:在该温度范围生长的ZnO:Ag薄膜具有n-型导电特征,但通过退火可以实现p-型导电.当退火温度为300℃时,ZnO:Ag薄膜的空穴浓度为2.8×1016cm-3,电阻率为1.0 kΩ·cm,空穴的迁移率为0.22 cm2/V·s.当在350℃下进一步退火,薄膜仍为p-型导电,但空穴浓度减小为2.1×1015cm-3,电阻率增大到5.0 kΩ·cm.通过对ZnO:Ag薄膜的X射线衍射谱分析发现,ZnO:Ag电学性质的变化与薄膜中Ag+替代Zn2+的浓度有关.
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| 关 键 词： | p-型导电 ZnO薄膜 Ag2O 反应电子束蒸发 |
Growth and electrical properties of ZnO thin films with Ag dopant |
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| SUI Cheng-hua,XU Tian-ning,ZHENG Dong,CAI Xia,XIA Juan,YUAN Zi-jian. Growth and electrical properties of ZnO thin films with Ag dopant[J]. Infrared and Laser Engineering, 2010, 39(4) |
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| Authors: | SUI Cheng-hua XU Tian-ning ZHENG Dong CAI Xia XIA Juan YUAN Zi-jian |
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| Keywords: | Ag2O |
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