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非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子
引用本文:徐勇刚,吕蒙,陈建新,林铁,俞国林,戴宁,褚君浩. 非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱的零场自旋分裂能与高场g因子[J]. 红外与毫米波学报, 2015, 34(6): 688-693
作者姓名:徐勇刚  吕蒙  陈建新  林铁  俞国林  戴宁  褚君浩
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所
基金项目:中国科学院知识创新项目;国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目)
摘    要:我们研究了非对称In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中二维电子气的磁输运性质,所测量的样品的径向磁阻Rxx的Shubinikov-de Haas振荡没有呈现出拍频的特征。通过测量样品的弱局域效应提取了其零场自旋分裂能并通过对自旋分裂的Rxx双峰间距随倾斜角度theta的依赖关系的拟合提取了高场下的有效g因子。样品的Dingle plot图呈现非线性和特征,这可以归因于来自样品衬底附近的掺杂Be原子的长程势散射效应。

关 键 词:二维电子气   InGaAs/InAlAs量子阱   零场自旋分裂能  g因子
收稿时间:2014-11-01
修稿时间:2015-09-25

Zero-field spin splitting and high-field g-factor of an asymmetrical In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well
XU Yong-Gang,LV Meng,CHEN Jian-Xin,LIN Tie,YU Guo-Lin,DAI Ning and CHU Jun-Hao. Zero-field spin splitting and high-field g-factor of an asymmetrical In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum well[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2015, 34(6): 688-693
Authors:XU Yong-Gang  LV Meng  CHEN Jian-Xin  LIN Tie  YU Guo-Lin  DAI Ning  CHU Jun-Hao
Abstract:We investigated the magnetotransport properties of the two-dimensional electron system in an asymmetrical InGaAs/InAlAs quantum well, in which the expected beatings in the Shubinikov-de Haas oscillations of the longitudinal magnetoresistance Rxx were not observed. Zero-field spin splitting was extracted by measuring the weak anti-localization effect and the high field effective g-factor, g* , was extracted by fitting the tilt angle theta-dependent spacing of spin-splitted Rxx peaks. The Dingle plot is shown to be nonlinear, which can be attributed to the long-range scattering potential from the doping Be atoms near the substrate.
Keywords:two-dimensional electron system   InGaAs/InAlAs quatum well   zero-field spin splitting   g-factor
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